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1N5061


si diodo
GFX
UR 600V
IF 2.1A
- -
trr 3µS
UF / IF <1.15V/2.5A
TJ 175°C
1N5061 è un diodo silicio, U = 600V, I = 2.1A, d´application: valanga controllata
Foto: -
fonte: Va Valvo Halbleiterdioden...... [piú]
Va Valvo Halbleiterdioden 1978
Informazioni aggiuntive per 1N5061
OEM:Valvo GmbH
copertura: SOD57
scheda tecnica (jpg):disponibile
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si diodo
GFX
UR 600V
IF 2.1A
- -
trr 3µS
UF / IF <1.15V/2.5A
TJ 175°C
1N5061 è un diodo silicio, U = 600V, I = 2.1A, d´application: valanga controllata
Foto: -
fonte: Va Valvo Halbleiterdioden...... [piú]
Va Valvo Halbleiterdioden 1978
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OEM:Valvo GmbH
copertura: SOD57
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si diodo
GFX
UR 600V
IF 2.1A
- -
trr 3µS
UF / IF <1.15V/2.5A
TJ 175°C
1N5061 è un diodo silicio, U = 600V, I = 2.1A, d´application: valanga controllata
Foto: -
fonte: Va Valvo Halbleiterdioden...... [piú]
Va Valvo Halbleiterdioden 1978
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OEM:Valvo GmbH
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1N5061


si diodo
UR 600V
IF 2A
- -
- -
- -
TJ 150°C
1N5061 è un diodo silicio, U = 600V, I = 2A, d´application: raddrizzatore
Foto: -
fonte: Diotec Semiconductor Data...... [piú]
Diotec Semiconductor Databook 2006
Informazioni aggiuntive per 1N5061
OEM:Diotec Semic... [piú]
Diotec Semiconductor
copertura: DO-15
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si diodo
UR 600V
IF 2A
- -
- -
- -
TJ 150°C
1N5061 è un diodo silicio, U = 600V, I = 2A, d´application: raddrizzatore
Foto: -
fonte: Diotec Semiconductor Data...... [piú]
Diotec Semiconductor Databook 2006
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OEM:Diotec Semic... [piú]
Diotec Semiconductor
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IF 2A
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TJ 150°C
1N5061 è un diodo silicio, U = 600V, I = 2A, d´application: raddrizzatore
Foto: -
fonte: Diotec Semiconductor Data...... [piú]
Diotec Semiconductor Databook 2006
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OEM:Diotec Semic... [piú]
Diotec Semiconductor
copertura: DO-15
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si diodo
UR 600V
IF 1A
- -
- -
- -
TJ 175°C
1N5061 è un diodo silicio, U = 600V, I = 1A, d´application: raddrizzatore
Foto: -
fonte: General Semiconductor Po...... [piú]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Informazioni aggiuntive per 1N5061
OEM:General Semi... [piú]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
copertura: DO-204AP
scheda tecnica (jpg):disponibile
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IF 1A
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TJ 175°C
1N5061 è un diodo silicio, U = 600V, I = 1A, d´application: raddrizzatore
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fonte: General Semiconductor Po...... [piú]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
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OEM:General Semi... [piú]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
copertura: DO-204AP
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UR 600V
IF 1A
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TJ 175°C
1N5061 è un diodo silicio, U = 600V, I = 1A, d´application: raddrizzatore
Foto: -
fonte: General Semiconductor Po...... [piú]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Informazioni aggiuntive per 1N5061
OEM:General Semi... [piú]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
copertura: DO-204AP
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si diodo
GFX
UR 600V
IF 2A
- -
trr 3µS
UF / IF <1.1V/1A
TJ 175°C
1N5061 è un diodo silicio, U = 600V, I = 2A, d´application: valanga controllata, raddrizzatore
marking code: 1N5061PH
Foto: -
fonte: Philips Power Diodes 1999
Informazioni aggiuntive per 1N5061
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura: SOD57
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si diodo
GFX
UR 600V
IF 2A
- -
trr 3µS
UF / IF <1.1V/1A
TJ 175°C
1N5061 è un diodo silicio, U = 600V, I = 2A, d´application: valanga controllata, raddrizzatore
marking code: 1N5061PH
Foto: -
fonte: Philips Power Diodes 1999
Informazioni aggiuntive per 1N5061
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura: SOD57
scheda tecnica (jpg):disponibile
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1N5061


si diodo
GFX
UR 600V
IF 2A
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trr 3µS
UF / IF <1.1V/1A
TJ 175°C
1N5061 è un diodo silicio, U = 600V, I = 2A, d´application: valanga controllata, raddrizzatore
marking code: 1N5061PH
Foto: -
fonte: Philips Power Diodes 1999
Informazioni aggiuntive per 1N5061
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura: SOD57
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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