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BAW50


si diodo
GFX
UR 160V
IF 350mA
- -
trr 60nS
UF / IF <1.15V/200mA
TJ 150°C
BAW50 è un diodo silicio, U = 160V, I = 350mA, d´application: tipo universale, fasi di commutazione
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999, Kristalldioden & Transistoren Taschentabelle KTT10 (Franzis Verlag)
Informazioni aggiuntive per BAW50
OEM:Texas Instru... [piú]
Texas Instruments
copertura: DO-7
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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-
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UF / IF <1.15V/200mA
TJ 150°C
BAW50 è un diodo silicio, U = 160V, I = 350mA, d´application: tipo universale, fasi di commutazione
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Jaeger electronic catalog 1999, Kristalldioden & Transistoren Taschentabelle KTT10 (Franzis Verlag)
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Texas Instruments
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BAW50 è un diodo silicio, U = 160V, I = 350mA, d´application: tipo universale, fasi di commutazione
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