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BUP200D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
BUP200D è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: tipo universale, diodo integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per BUP200D
OEM:Siemens AG
copertura: TO-220AB
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:
-
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