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RT1N241S


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
RT1N241S è un transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: Rb 22kOhm, Rbe 22kOhm integrato
marking code: N241
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per RT1N241S
OEM:Mitsubishi E... [piú]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
copertura:-
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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-
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RT1N241S


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GFX
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IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
RT1N241S è un transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: Rb 22kOhm, Rbe 22kOhm integrato
marking code: N241
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per RT1N241S
OEM:Mitsubishi E... [piú]
Mitsubishi Electric Corp., Japan
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IC 0.1A
hFE -
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TJ -
RT1N241S è un transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: Rb 22kOhm, Rbe 22kOhm integrato
marking code: N241
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Jaeger electronic catalog 1999
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