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1S112


si diodo
GFX
UR 200V
IF 750mA
- -
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1S112 è un diodo silicio, U = 200V, I = 750mA, d´application: raddrizzatore
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per 1S112
OEM:Nippon Elect... [piú]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
copertura: DO-1
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
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si diodo
GFX
UR 200V
IF 750mA
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1S112 è un diodo silicio, U = 200V, I = 750mA, d´application: raddrizzatore
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Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Nippon Elect... [piú]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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GFX
UR 200V
IF 750mA
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1S112 è un diodo silicio, U = 200V, I = 750mA, d´application: raddrizzatore
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Jaeger electronic catalog 1999
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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si diodo
GFX
UR 300V
IF 400mA
- -
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1S112 è un diodo silicio, U = 300V, I = 400mA, d´application: raddrizzatore
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per 1S112
OEM:Texas Instru... [piú]
Texas Instruments
copertura: DO-7
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GFX
UR 300V
IF 400mA
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1S112 è un diodo silicio, U = 300V, I = 400mA, d´application: raddrizzatore
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Texas Instruments
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