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FEPB6DT


si diodo
GFX
UR 200V
IF 6A
- -
trr 35nS
UF / IF <0.975V/3A
TJ 150°C
FEPB6DT è un diodo silicio, U = 200V, I = 6A, d´application: raddrizzatore veloce, diodo doppio
Foto: -
fonte: General Semiconductor Po...... [piú]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Informazioni aggiuntive per FEPB6DT
OEM:General Semi... [piú]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
copertura: TO-263AB
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):disponibile
OEM scheda tecnica:-
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- -
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fonte: General Semiconductor Po...... [piú]
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OEM:General Semi... [piú]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
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