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X
G
Pagina:

02DZ9.1


si z- diodo
GFX
UZ 8.5-9V
IZ 5mA
rdiff 18Ω
Tol. -
Ptot 0.2W
TJ 150°C
02DZ9.1 è un diodo Z silicio, Uz = 8.5-9V, N = 200mW, d´application: diodo Z
marking code: 9.1X
Foto: -
fonte: datasheet
Informazioni aggiuntive per 02DZ9
OEM:
Toshiba Toky... [piú]
copertura:-
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si z- diodo
GFX
UZ 8.5-9V
IZ 5mA
rdiff 18Ω
Tol. -
Ptot 0.2W
TJ 150°C
02DZ9.1 è un diodo Z silicio, Uz = 8.5-9V, N = 200mW, d´application: diodo Z
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si z- diodo
GFX
UZ 8.8-9.3V
IZ 5mA
rdiff 18Ω
Tol. -
Ptot 0.2W
TJ 150°C
02DZ9.1 è un diodo Z silicio, Uz = 8.8-9.3V, N = 200mW, d´application: diodo Z
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GFX
UZ 8.8-9.3V
IZ 5mA
rdiff 18Ω
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Ptot 0.2W
TJ 150°C
02DZ9.1 è un diodo Z silicio, Uz = 8.8-9.3V, N = 200mW, d´application: diodo Z
marking code: 9.1Y
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si z- diodo
GFX
UZ 9.1-9.6V
IZ 5mA
rdiff 18Ω
Tol. -
Ptot 0.2W
TJ 150°C
02DZ9.1 è un diodo Z silicio, Uz = 9.1-9.6V, N = 200mW, d´application: diodo Z
marking code: 9.1Z
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GFX
UZ 9.1-9.6V
IZ 5mA
rdiff 18Ω
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Ptot 0.2W
TJ 150°C
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marking code: 9.1Z
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