tabella dati transistor BUK856-450IX
 
 
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BUK856-450IX


SI N-IGBT transistor

Uce: 400/500V
Uge: 12V
Ic: 15A
N: 125W
Ton/Toff: 50/370nS
Tmax: -
BUK856-450IX è un transistor silicio N-IGBT, Ucb = 12V, Ic = 15A, d´application: stadi di potenza
foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per BUK856-450IX
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura: TO-220
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BUK856-450IX


SI N-IGBT transistor

Uce: 400/500V
Uge: 12V
Ic: 15A
N: 125W
Ton/Toff: 50/370nS
Tmax: -
BUK856-450IX è un transistor silicio N-IGBT, Ucb = 12V, Ic = 15A, d´application: stadi di potenza
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BUK856-450IX


SI N-IGBT transistor

Uce: 400/500V
Uge: 12V
Ic: 15A
N: 125W
Ton/Toff: 50/370nS
Tmax: -
BUK856-450IX è un transistor silicio N-IGBT, Ucb = 12V, Ic = 15A, d´application: stadi di potenza
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IGT4E10


SI N-IGBT transistor


similar to BUK856-450IX, see note
Uce: 500V
Uge: 25V
Ic: 18A
N: 75W
Ton/Toff: 0.25/4.5µS
Tmax: -
IGT4E10 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 500V, Ic = 18A, d´application: stadi di potenza
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Prodotto simile: IGT4E10
OEM:General Elec... [piú]
General Electric Co. GEC
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IGT4E10


SI N-IGBT transistor


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Uce: 500V
Uge: 25V
Ic: 18A
N: 75W
Ton/Toff: 0.25/4.5µS
Tmax: -
IGT4E10 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 500V, Ic = 18A, d´application: stadi di potenza
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IGT4E10


SI N-IGBT transistor


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Uce: 500V
Uge: 25V
Ic: 18A
N: 75W
Ton/Toff: 0.25/4.5µS
Tmax: -
IGT4E10 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 500V, Ic = 18A, d´application: stadi di potenza
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IGT4E11


SI N-IGBT transistor


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Uce: 500V
Uge: 25V
Ic: 18A
N: 75W
Ton/Toff: 0.25/4.5µS
Tmax: -
IGT4E11 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 500V, Ic = 18A, d´application: stadi di potenza
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Prodotto simile: IGT4E11
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IGT4E11


SI N-IGBT transistor


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Uce: 500V
Uge: 25V
Ic: 18A
N: 75W
Ton/Toff: 0.25/4.5µS
Tmax: -
IGT4E11 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 500V, Ic = 18A, d´application: stadi di potenza
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Prodotto simile: IGT4E11
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IGT4E11


SI N-IGBT transistor


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Uce: 500V
Uge: 25V
Ic: 18A
N: 75W
Ton/Toff: 0.25/4.5µS
Tmax: -
IGT4E11 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 500V, Ic = 18A, d´application: stadi di potenza
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Prodotto simile: IGT4E11
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GN6015A


SI N-IGBT transistor


similar to BUK856-450IX, see note
Uce: 600V
Uge: 20V
Ic: 15A
N: 60W
Ton/Toff: 400/600nS
Tmax: -
GN6015A è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 15A, d´application: stadi di potenza
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Prodotto simile: GN6015A
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Hitachi Ltd. Japan
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GN6015A


SI N-IGBT transistor


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Uce: 600V
Uge: 20V
Ic: 15A
N: 60W
Ton/Toff: 400/600nS
Tmax: -
GN6015A è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 15A, d´application: stadi di potenza
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OEM:Hitachi Ltd.... [piú]
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GN6015A


SI N-IGBT transistor


similar to BUK856-450IX, see note
Uce: 600V
Uge: 20V
Ic: 15A
N: 60W
Ton/Toff: 400/600nS
Tmax: -
GN6015A è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 15A, d´application: stadi di potenza
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Prodotto simile: GN6015A
OEM:Hitachi Ltd.... [piú]
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