tabella dati transistor BUP200
 
 
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BUP200


SI N-IGBT transistor

Uce: 1200V
Uge: ±20V
Ic: 3.5A
N: 50W
F: -
Tmax: 150°C
BUP200 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: tipo universale
foto: -
fonte: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [piú]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Informazioni aggiuntive per BUP200
OEM:Siemens AG
copertura: TO-220AB
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):-
prodotto complementare:
-
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BUP200


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Uce: 1200V
Uge: ±20V
Ic: 3.5A
N: 50W
F: -
Tmax: 150°C
BUP200 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: tipo universale
foto: -
fonte: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [piú]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
Informazioni aggiuntive per BUP200
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BUP200 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: tipo universale
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