tabella dati transistor BUP200D
 
 
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BUP200D


SI N-IGBT transistor

Uce: 1200V
Uge: ±20V
Ic: 3.5A
N: 50W
F: -
Tmax: 150°C
BUP200D è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: tipo universale, diodo integrato
foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per BUP200D
OEM:Siemens AG
copertura: TO-220AB
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
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-
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Uce: 1200V
Uge: ±20V
Ic: 3.5A
N: 50W
F: -
Tmax: 150°C
BUP200D è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, d´application: tipo universale, diodo integrato
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Jaeger electronic catalog 1999
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