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GN6010A


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 10A
Ptot 50W
TON/TOFF 350/500nS
TJ -
GN6010A è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 10A, d´application: stadi di potenza
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per GN6010A
OEM:Hitachi Ltd.... [piú]
Hitachi Ltd. Japan
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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GFX
UCE 600V
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IC 10A
Ptot 50W
TON/TOFF 350/500nS
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GN6010A è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 10A, d´application: stadi di potenza
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Jaeger electronic catalog 1999
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GN6010A è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 10A, d´application: stadi di potenza
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BUK854-800A


SI N-IGBT transistor
similar to GN6010A, see note
GFX
UCE 800V
UGE 30V
IC 12A
Ptot 85W
TON/TOFF 50/370nS
TJ -
BUK854-800A è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 800V, Ic = 12A, d´application: stadi di potenza
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fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: BUK854-800A
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
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