| GT25Q101
SI N-IGBT transistor | | | UCE | 1200V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 25/50A | | Ptot | 200W | | TON/TOFF | 400/800nS | | TJ | 150°C | | Foto: | - | | fonte: | Toshiba IGBT Databook 199...... [piú] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | Informazioni aggiuntive per GT25Q101 | | OEM: | Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | copertura: | 2-21F1C | | scheda tecnica (jpg): | disponibile | | scheda tecnica (pdf): | disponibile | | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare:
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