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GT50J102


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
GT50J102 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: driver motore, transistori di communtazione e prestazione
Foto: -
fonte: Toshiba IGBT Databook 199...... [piú]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Informazioni aggiuntive per GT50J102
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura:2-21F2C
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):disponibile
OEM scheda tecnica:-
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GT50J102


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GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
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GN6050E


SI N-IGBT transistor
similar to GT50J102, see note
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 200W
TON/TOFF 1/1.2µS
TJ -
GN6050E è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: stadi di potenza
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: GN6050E
OEM:Hitachi Ltd.... [piú]
Hitachi Ltd. Japan
copertura:TOP-3L
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