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GT5J311


SI N-IGBT transistor
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 5/10A
Ptot 45W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
GT5J311 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 5A, d´application: stadi di potenza
Foto: -
fonte: datasheet
informazioni aggiuntive per GT5J311
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura:2-10S1C
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