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GT60M103


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 900V
UGE 25V
IC 60A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/800nS
TJ -
GT60M103 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 900V, Ic = 60A, d´application: stadi di potenza
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
informazioni aggiuntive per GT60M103
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura:TOP-3L
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:
-
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IC 60A
Ptot 200W
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TJ -
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fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
informazioni aggiuntive per GT60M103
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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-
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