| HGTD6N50E1
SI N-IGBT transistor | | | UCE | 500V | | | UGE | ±20V | | IC | 7.5A | | Ptot | 60W | | TON/TOFF | 90/24nS | | TJ | 150°C | | Foto: | - | | fonte: | Harris Databook Power MOS...... [piú] Harris Databook Power MOSFETs/IGBTs/UF Rectifiers... 1991 | | | informazioni aggiuntive per HGTD6N50E1 | | OEM: | Harris Semic... [piú] Harris Semiconductors | | copertura: | TO-251AA | | scheda tecnica (jpg): | - | | scheda tecnica (pdf): | - | | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare:
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