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tabella dati transistor IGT4D10

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IGT4D10


SI N-IGBT transistor

TO-220
Uce: 400V
Uge: 25V
Ic: 18A
N: 75W
Ton/Toff: 0.25/4.5µS
Tmax: -
IGT4D10 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 400V, Ic = 18A, d´application: stadi di potenza
fonte: Jaeger electronic catalog 1999
foto: -
informazioni aggiuntive per IGT4D10

OEM:General Electric Co. GEC
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
prodotto complementare:
-
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