tabella dati transistor IGT4E10
 
 
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IGT4E10


SI N-IGBT transistor

Uce: 500V
Uge: 25V
Ic: 18A
N: 75W
Ton/Toff: 0.25/4.5µS
Tmax: -
IGT4E10 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 500V, Ic = 18A, d´application: stadi di potenza
foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per IGT4E10
OEM:General Elec... [piú]
General Electric Co. GEC
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
prodotto complementare:
-
prodotti simili:BUP400, [piú]
BUP400,IGTP20N50,MGP20N50
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Uce: 500V
Uge: 25V
Ic: 18A
N: 75W
Ton/Toff: 0.25/4.5µS
Tmax: -
IGT4E10 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 500V, Ic = 18A, d´application: stadi di potenza
foto: -
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Jaeger electronic catalog 1999
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Uce: 500V
Uge: 25V
Ic: 18A
N: 75W
Ton/Toff: 0.25/4.5µS
Tmax: -
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