| MG25J6ES40
SI N-IGBT transistor | | | Uce: | 600V | | | Uge: | ±20V | | Ic: DC/AC | 25/50A | | N: | 100W | | Ton/Toff: | 400/600nS | | Tmax: | 150°C | | foto: | - | | fonte: | Toshiba IGBT Databook 199...... [piú] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | Informazioni aggiuntive per MG25J6ES40 | | OEM: | Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | copertura: | 2-72A5A | | scheda tecnica (jpg): | disponibile | | scheda tecnica (pdf): | disponibile | prodotto complementare:
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