tabella dati transistor MG25Q6ES42
 
 


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MG25Q6ES42


SI N-IGBT transistor

Uce: 1200V
Uge: ±20V
Ic: DC/AC 25/50A
N: 200W
Ton/Toff: 400/800nS
Tmax: 150°C
MG25Q6ES42 è un transistor silicio 6x N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 25A, d´application: transistor di commutazione e potenza, controllo motore
fonte: Toshiba IGBT Databook 199...... [piú]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
foto: -
informazioni aggiuntive per MG25Q6ES42
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura:2-93A3A
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):disponibile
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