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MG8Q6ES42


SI N-IGBT transistor

Tos/2-93A3A
Uce: 1200V
Uge: ±20V
Ic: DC/AC 8/16A
N: 80W
Ton/Toff: 400/800nS
Tmax: 150°C
MG8Q6ES42 è un transistor silicio 6x N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 8A, d´application: transistor di commutazione e potenza, controllo motore
fonte: Toshiba IGBT Databook 1995/96
foto: -
informazioni aggiuntive per MG8Q6ES42

OEM:Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura:2-93A3A
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):disponibile
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