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MGW30N60


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 202W
TON/TOFF 156/536nS
TJ -
MGW30N60 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: transistor di potenza (tipo universale)
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per MGW30N60
OEM:Motorola Sem... [piú]
Motorola Semiconductor Products Inc.
copertura: TO-247
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BUP604,GN6050E,GT50J101,GT50J102
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MGW30N60


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 202W
TON/TOFF 156/536nS
TJ -
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SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 202W
TON/TOFF 156/536nS
TJ -
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BUP604


SI N-IGBT transistor
similar to MGW30N60, see note
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 80A
Ptot 300W
TON/TOFF 140/870nS
TJ -
BUP604 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 80A, d´application: tipo universale
Foto: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: BUP604
OEM:Siemens AG
copertura: TO-3P
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BUP604


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UCE 600V
UGE 20V
IC 80A
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TON/TOFF 140/870nS
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BUP604


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GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 80A
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TON/TOFF 140/870nS
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BUP604 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 80A, d´application: tipo universale
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OEM:Siemens AG
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GN6050E


SI N-IGBT transistor
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GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 200W
TON/TOFF 1/1.2µS
TJ -
GN6050E è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: stadi di potenza
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Prodotto simile: GN6050E
OEM:Hitachi Ltd.... [piú]
Hitachi Ltd. Japan
copertura:TOP-3L
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GN6050E


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GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 200W
TON/TOFF 1/1.2µS
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Hitachi Ltd. Japan
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GN6050E


SI N-IGBT transistor
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GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 200W
TON/TOFF 1/1.2µS
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GN6050E è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: stadi di potenza
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Hitachi Ltd. Japan
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GT50J101


SI N-IGBT transistor
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GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
GT50J101 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: transistori di communtazione e prestazione
Foto: -
fonte: Toshiba IGBT Databook 199...... [piú]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Prodotto simile: GT50J101
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura:2-21F1C
scheda tecnica (jpg):disponibile
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GT50J101


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GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
GT50J101 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: transistori di communtazione e prestazione
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fonte: Toshiba IGBT Databook 199...... [piú]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Prodotto simile: GT50J101
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
GT50J101 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: transistori di communtazione e prestazione
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
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OEM:Toshiba Toky... [piú]
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GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
GT50J102 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: driver motore, transistori di communtazione e prestazione
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
Prodotto simile: GT50J102
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
Prodotto simile: GT50J102
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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GT50J102


SI N-IGBT transistor
similar to MGW30N60, see note
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
GT50J102 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 50A, d´application: driver motore, transistori di communtazione e prestazione
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fonte: Toshiba IGBT Databook 199...... [piú]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Prodotto simile: GT50J102
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura:2-21F2C
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