tabella dati transistor MGY40N60D
 
 
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MGY40N60D


SI N-IGBT transistor

Uce: 600V
Uge: 20V
Ic: 66A
N: 260W
Ton/Toff: 221/710nS
Tmax: -
MGY40N60D è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 66A, d´application: transistor di potenza (tipo universale), diodo integrato
foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per MGY40N60D
OEM:Motorola Sem... [piú]
Motorola Semiconductor Products Inc.
copertura:TOP-3L
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
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-
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MGY40N60D


SI N-IGBT transistor

Uce: 600V
Uge: 20V
Ic: 66A
N: 260W
Ton/Toff: 221/710nS
Tmax: -
MGY40N60D è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 66A, d´application: transistor di potenza (tipo universale), diodo integrato
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fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Motorola Sem... [piú]
Motorola Semiconductor Products Inc.
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Uce: 600V
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Ic: 66A
N: 260W
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Tmax: -
MGY40N60D è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 600V, Ic = 66A, d´application: transistor di potenza (tipo universale), diodo integrato
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