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tabella dati transistor STHI07N50

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STHI07N50


SI N-IGBT transistor

TO-220
Uce: 500V
Uge: 20V
Ic: 7A
N: 100W
Ton/Toff: 1.15/2.2µS
Tmax: -
STHI07N50 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 500V, Ic = 7A, d´application: stadi di potenza
fonte: Jaeger electronic catalog 1999
foto: -
informazioni aggiuntive per STHI07N50

OEM:SGS Thomson Microelectronics, France, Italia
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
prodotto complementare:
-
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