transistor B639 schede tecn.

B639

SI PNP darlington transistor

GFX

U_CE/U_CB

-100/-100V

I_C

-10A

h_FE

>1000

P_tot

100W

f_T

T_J

B639 è un transistor silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: diodo integrato

Foto:

fonte:

2SB639

Informazioni aggiuntive per B639
OEM:	Hitachi Ltd.... [piú] Hitachi Ltd. Japan
copertura:	TO-3
scheda tecnica (jpg):	-
scheda tecnica (pdf):	-
OEM scheda tecnica:	-
prodotto complementare: ↓	2SD629
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I_C

-10A

h_FE

>1000

P_tot

100W

f_T

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B639 è un transistor silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: diodo integrato

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GFX

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I_C

-10A

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>1000

P_tot

100W

f_T

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B639 è un transistor silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 10A, d´application: diodo integrato

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