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B669


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -70/-70V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
fT -
TJ -
B669 è un transistor silicio PNP darlington, Uce = 70V, Ic = 4A, d´application: transistor di potenza
Foto: -
fonte: 2SB669
Informazioni aggiuntive per B669
OEM:Matsushita D... [piú]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:2SD679
prodotti simili: ↑BDW24B, [piú]
BDW24B,BDW54B,BDW64B,2SA1259
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B669


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -70/-70V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
fT -
TJ -
B669 è un transistor silicio PNP darlington, Uce = 70V, Ic = 4A, d´application: transistor di potenza
Foto: -
fonte: 2SB669
Informazioni aggiuntive per B669
OEM:Matsushita D... [piú]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:2SD679
prodotti simili: ↑BDW24B, [piú]
BDW24B,BDW54B,BDW64B,2SA1259
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B669


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -70/-70V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
fT -
TJ -
B669 è un transistor silicio PNP darlington, Uce = 70V, Ic = 4A, d´application: transistor di potenza
Foto: -
fonte: 2SB669
Informazioni aggiuntive per B669
OEM:Matsushita D... [piú]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
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OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:2SD679
prodotti simili: ↑BDW24B, [piú]
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BDW24B


SI PNP darlington transistor
simile a B669 vedi nota
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -6A
hFE 0.75-20k
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
BDW24B è un simili transistor silicio PNP darlington, Uce = 80V, Ic = 6A, d´application: stadi di potenza
Foto: -
fonte: SGS ATES Databook discret...... [piú]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
Prodotto simile: BDW24B
OEM:Ates Compone... [piú]
Ates Component Electronics (SGS)
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):disponibile
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:BDW23B
prodotti simili: ↑see BDW24B
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BDW24B


SI PNP darlington transistor
simile a B669 vedi nota
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -6A
hFE 0.75-20k
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
BDW24B è un simili transistor silicio PNP darlington, Uce = 80V, Ic = 6A, d´application: stadi di potenza
Foto: -
fonte: SGS ATES Databook discret...... [piú]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
Prodotto simile: BDW24B
OEM:Ates Compone... [piú]
Ates Component Electronics (SGS)
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OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:BDW23B
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BDW24B


SI PNP darlington transistor
simile a B669 vedi nota
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -6A
hFE 0.75-20k
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
BDW24B è un simili transistor silicio PNP darlington, Uce = 80V, Ic = 6A, d´application: stadi di potenza
Foto: -
fonte: SGS ATES Databook discret...... [piú]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
Prodotto simile: BDW24B
OEM:Ates Compone... [piú]
Ates Component Electronics (SGS)
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):disponibile
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OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:BDW23B
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BDW54B


SI PNP darlington transistor
simile a B669 vedi nota
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
BDW54B è un simili transistor silicio PNP darlington, Uce = 80V, Ic = 4A, d´application: transistor di potenza, frequenza audio, diodo integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: BDW54B
OEM:Texas Instru... [piú]
Texas Instruments
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:-
prodotti simili: ↑BD718, [piú]
BD718,BDW24B,BDW64B
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BDW54B


SI PNP darlington transistor
simile a B669 vedi nota
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
BDW54B è un simili transistor silicio PNP darlington, Uce = 80V, Ic = 4A, d´application: transistor di potenza, frequenza audio, diodo integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: BDW54B
OEM:Texas Instru... [piú]
Texas Instruments
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BDW54B


SI PNP darlington transistor
simile a B669 vedi nota
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
BDW54B è un simili transistor silicio PNP darlington, Uce = 80V, Ic = 4A, d´application: transistor di potenza, frequenza audio, diodo integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: BDW54B
OEM:Texas Instru... [piú]
Texas Instruments
copertura: TO-220
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BDW64B


SI PNP darlington transistor
simile a B669 vedi nota
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -6A
hFE >750
Ptot 60W
fT >1MHz
TJ -
BDW64B è un simili transistor silicio PNP darlington, Uce = 80V, Ic = 6A, d´application: transistor di potenza, frequenza audio, diodo integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: BDW64B
OEM:Texas Instru... [piú]
Texas Instruments
copertura: TO-220
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scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:-
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BD648,BD900,BDW24B,BDX54B
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BDW64B


SI PNP darlington transistor
simile a B669 vedi nota
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -6A
hFE >750
Ptot 60W
fT >1MHz
TJ -
BDW64B è un simili transistor silicio PNP darlington, Uce = 80V, Ic = 6A, d´application: transistor di potenza, frequenza audio, diodo integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: BDW64B
OEM:Texas Instru... [piú]
Texas Instruments
copertura: TO-220
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BDW64B


SI PNP darlington transistor
simile a B669 vedi nota
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -6A
hFE >750
Ptot 60W
fT >1MHz
TJ -
BDW64B è un simili transistor silicio PNP darlington, Uce = 80V, Ic = 6A, d´application: transistor di potenza, frequenza audio, diodo integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: BDW64B
OEM:Texas Instru... [piú]
Texas Instruments
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:-
prodotti simili: ↑BD648, [piú]
BD648,BD900,BDW24B,BDX54B
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2SA1259


SI PNP darlington transistor
simile a B669 vedi nota
GFX
UCE/UCB -60/-70V
IC DC/AC -5/-8A
hFE 5000
Ptot 30W
fT 200MHz
TJ -
2SA1259 è un simili transistor silicio PNP darlington, Uce = 60V, Ic = 5A, d´application: stadi frequenza audio, transistor di potenza, transistor di commutazione
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: 2SA1259
OEM:Tokyo Sanyo... [piú]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:2SC3145
prodotti simili: ↑see 2SA1259
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2SA1259


SI PNP darlington transistor
simile a B669 vedi nota
GFX
UCE/UCB -60/-70V
IC DC/AC -5/-8A
hFE 5000
Ptot 30W
fT 200MHz
TJ -
2SA1259 è un simili transistor silicio PNP darlington, Uce = 60V, Ic = 5A, d´application: stadi frequenza audio, transistor di potenza, transistor di commutazione
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: 2SA1259
OEM:Tokyo Sanyo... [piú]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:2SC3145
prodotti simili: ↑see 2SA1259
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2SA1259


SI PNP darlington transistor
simile a B669 vedi nota
GFX
UCE/UCB -60/-70V
IC DC/AC -5/-8A
hFE 5000
Ptot 30W
fT 200MHz
TJ -
2SA1259 è un simili transistor silicio PNP darlington, Uce = 60V, Ic = 5A, d´application: stadi frequenza audio, transistor di potenza, transistor di commutazione
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: 2SA1259
OEM:Tokyo Sanyo... [piú]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
copertura: TO-220
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prodotto complementare:2SC3145
prodotti simili: ↑see 2SA1259
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