B676 SI PNP darlington transistor | | UCE/UCB | -80/-100V | | IC | -4A | hFE | >2000 | Ptot | 30W | TON/TOFF | 0.15/1.2µS | TJ | - | Foto: | - | fonte: | 2SB676 | | Informazioni aggiuntive per B676 | OEM: | Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | copertura: | TO-220 | scheda tecnica (jpg): | - | scheda tecnica (pdf): | - | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare: ↑ | 2SD686 | prodotti simili: | BD902, [piú] BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C | maschera di ricerca prodotti simili: | cerca prodotti simili | | cerca un compon.: | ricerca |
|
B676 SI PNP darlington transistor | | UCE/UCB | -80/-100V | | IC | -4A | hFE | >2000 | Ptot | 30W | TON/TOFF | 0.15/1.2µS | TJ | - | Foto: | - | fonte: | 2SB676 | |
| Informazioni aggiuntive per B676 | OEM: | Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | copertura: | TO-220 | scheda tecnica (jpg): | - | scheda tecnica (pdf): | - | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare: ↑ | 2SD686 | prodotti simili: | BD902, [piú] BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C | maschera di ricerca prodotti simili: | cerca prodotti simili | | cerca un compon.: | ricerca |
|
B676 SI PNP darlington transistor | | UCE/UCB | -80/-100V | | IC | -4A | hFE | >2000 | Ptot | 30W | TON/TOFF | 0.15/1.2µS | TJ | - | Foto: | - | fonte: | 2SB676 | | Informazioni aggiuntive per B676 | OEM: | Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | copertura: | TO-220 | scheda tecnica (jpg): | - | scheda tecnica (pdf): | - | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare: ↑ | 2SD686 | prodotti simili: | BD902, [piú] BD902,BDW24C,BDW54C,BDW64C | maschera di ricerca prodotti simili: | cerca prodotti simili | | cerca un compon.: | ricerca |
|
|