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B679


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
B679 è un transistor silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 1.5A
Foto: -
fonte: 2SB679
Informazioni aggiuntive per B679
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare: ↑2SD689
prodotti simili:BDW54C, [piú]
BDW54C,2SB751B
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B679


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
B679 è un transistor silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 1.5A
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fonte: 2SB679
Informazioni aggiuntive per B679
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
B679 è un transistor silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 1.5A
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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2SD689


SI NPN darlington transistor
prodotto complementare per B679
GFX
UCE/UCB 100/100V
IC 1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
2SD689 è un complementare transistor silicio NPN darlington, Uce = 100V, Ic = 1.5A, d´application: stadi frequenza audio, transistor di commutazione
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotti complementari: 2SD689
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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SI NPN darlington transistor
prodotto complementare per B679
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IC 1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
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2SD689 è un complementare transistor silicio NPN darlington, Uce = 100V, Ic = 1.5A, d´application: stadi frequenza audio, transistor di commutazione
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OEM:Toshiba Toky... [piú]
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Ptot 10W
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