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LAE4001R


SI NPN transistor
UCE/UCB 25/30V
IC 80mA
hFE 20-220
Ptot 480mW
fT 4GHz
TJ 200°C
LAE4001R è un transistor silicio NPN, Uce = 25V, Ic = 80mA, d´application: amplificatore di potenza classe A in circuito emettitore fino a 4GHz, transistor di potenza microonde
Foto: -
fonte: PSC Philips Data Handbook...... [piú]
PSC Philips Data Handbook SC15
Informazioni aggiuntive per LAE4001R
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura: SOT100
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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LAE4001R


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IC 80mA
hFE 20-220
Ptot 480mW
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LAE4001R è un transistor silicio NPN, Uce = 25V, Ic = 80mA, d´application: amplificatore di potenza classe A in circuito emettitore fino a 4GHz, transistor di potenza microonde
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PSC Philips Data Handbook SC15
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hFE 20-220
Ptot 480mW
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TJ 200°C
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