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LAE4002R


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 35/40V
IC 90mA
hFE 15-150
Ptot 625mW
fT 4GHz
TJ 200°C
LAE4002R è un transistor silicio NPN, Uce = 35V, Ic = 90mA, d´application: amplificatore di potenza classe A in circuito emettitore fino a 4GHz, transistor di potenza microonde
Foto: -
fonte: PSC Philips Data Handbook...... [piú]
PSC Philips Data Handbook SC15
Informazioni aggiuntive per LAE4002R
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura: SOT100
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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-
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LAE4002R


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GFX
UCE/UCB 35/40V
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Ptot 625mW
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LAE4002R è un transistor silicio NPN, Uce = 35V, Ic = 90mA, d´application: amplificatore di potenza classe A in circuito emettitore fino a 4GHz, transistor di potenza microonde
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TJ 200°C
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