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MJD112


SI NPN darlington transistor
UCE/UCB 100/100V
IC 2A
hFE 0.2-12k
Ptot 20W
fT >25MHz
TJ 150°C
MJD112 è un transistor silicio NPN darlington, Uce = 100V, Ic = 2A, d´application: transistor di potenza (tipo universale), transistor di commutazione
Foto: -
fonte: datasheet
Informazioni aggiuntive per MJD112
OEM:Motorola Sem... [piú]
Motorola Semiconductor Products Inc.
copertura:CASE369A
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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