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MX0912B100Y


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 60/65V
IC 6A
hFE -
Ptot 290W
fT 1.215GHz
TJ 200°C
MX0912B100Y è un transistor silicio NPN, Uce = 60V, Ic = 6A, d´application: banda larga di classe C - amplificatore di potenza da 960 a 1215MHz per stadi TACAN nel circuito di base-... [piú]
MX0912B100Y è un transistor silicio NPN, Uce = 60V, Ic = 6A, d´application: banda larga di classe C - amplificatore di potenza da 960 a 1215MHz per stadi TACAN nel circuito di base- potenza di impulso, transistor di potenza microonde
Foto: -
fonte: PSC Philips Data Handbook...... [piú]
PSC Philips Data Handbook SC15
Informazioni aggiuntive per MX0912B100Y
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura:SOT439A
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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fonte: PSC Philips Data Handbook...... [piú]
PSC Philips Data Handbook SC15
Informazioni aggiuntive per MX0912B100Y
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura:SOT439A
scheda tecnica (jpg):-
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