tabella dati transistor MZ0912B100Y
ENDEFRITESCNRU
 
 
ll
 Pagina:
1 2                    

Pagina iniziale

mn

SCR

sc

Diodi

di

Transistori

tr

Circuiti integrati

ic

SMD Marking Codes

smd

Ricerca per parametri

L
R
EN
DE
FR
IT
ES
CN
RU

MZ0912B100Y


SI NPN transistor

copertura
UCE/UCB 60/65V
IC 6A
hFE -
Ptot 290W
fT 1.215GHz
TJ 200°C
MZ0912B100Y è un transistor silicio NPN, Uce = 60V, Ic = 6A, d´application: banda larga di classe C - amplificatore di potenza da 960 a 1215MHz per stadi TACAN nel circuito di base-... [piú]
MZ0912B100Y è un transistor silicio NPN, Uce = 60V, Ic = 6A, d´application: banda larga di classe C - amplificatore di potenza da 960 a 1215MHz per stadi TACAN nel circuito di base- potenza di impulso, transistor di potenza microonde
foto: -
fonte: PSC Philips Data Handbook...... [piú]
PSC Philips Data Handbook SC15
Informazioni aggiuntive per MZ0912B100Y
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura:SOT443A
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
prodotto complementare:
-
prodotti simili:
-
maschera di ricerca prodotti simili:cerca prodotti simili
cerca un compon.:ricerca

MZ0912B100Y


SI NPN transistor

copertura
UCE/UCB 60/65V
IC 6A
hFE -
Ptot 290W
fT 1.215GHz
TJ 200°C
MZ0912B100Y è un transistor silicio NPN, Uce = 60V, Ic = 6A, d´application: banda larga di classe C - amplificatore di potenza da 960 a 1215MHz per stadi TACAN nel circuito di base-... [piú]
MZ0912B100Y è un transistor silicio NPN, Uce = 60V, Ic = 6A, d´application: banda larga di classe C - amplificatore di potenza da 960 a 1215MHz per stadi TACAN nel circuito di base- potenza di impulso, transistor di potenza microonde
foto: -
fonte: PSC Philips Data Handbook...... [piú]
PSC Philips Data Handbook SC15
Informazioni aggiuntive per MZ0912B100Y
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura:SOT443A
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
prodotto complementare:
-
prodotti simili:
-
maschera di ricerca prodotti simili:cerca prodotti simili
cerca un compon.:ricerca

MZ0912B100Y


SI NPN transistor

copertura
UCE/UCB 60/65V
IC 6A
hFE -
Ptot 290W
fT 1.215GHz
TJ 200°C
MZ0912B100Y è un transistor silicio NPN, Uce = 60V, Ic = 6A, d´application: banda larga di classe C - amplificatore di potenza da 960 a 1215MHz per stadi TACAN nel circuito di base-... [piú]
MZ0912B100Y è un transistor silicio NPN, Uce = 60V, Ic = 6A, d´application: banda larga di classe C - amplificatore di potenza da 960 a 1215MHz per stadi TACAN nel circuito di base- potenza di impulso, transistor di potenza microonde
foto: -
fonte: PSC Philips Data Handbook...... [piú]
PSC Philips Data Handbook SC15
Informazioni aggiuntive per MZ0912B100Y
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura:SOT443A
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
prodotto complementare:
-
prodotti simili:
-
maschera di ricerca prodotti simili:cerca prodotti simili
cerca un compon.:ricerca
impressum
Informazioni fornite senza garanzia
informativa sulla privacy