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P12
SI NPN darlington transistor
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UCE/UCB
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10/20V
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IC
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-
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hFE
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>20000
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Ptot
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625mW
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fT
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-
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TJ
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150°C
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Foto:
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fonte:
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KSP12
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| | Informazioni aggiuntive per P12 | | OEM: | Samsung Elec... [piú]
Samsung Electronics CO. LTD. | | copertura: |
TO-92 | | scheda tecnica (jpg): | - | | scheda tecnica (pdf): | - | | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare:
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