R
X
G
Pagina:

P26


SI NPN darlington transistor
GFX
UCB 50V
IC 0.5A
hFE >10000
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
P26 è un transistor silicio NPN darlington, Ucb = 50V, Ic = 500mA, d´application: tipo universale
Foto: -
fonte: KSP26
Informazioni aggiuntive per P26
OEM:Samsung Elec... [piú]
Samsung Electronics CO. LTD.
copertura: TO-92
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:
-
prodotti simili:
-
maschera di ricerca prodotti simili:cerca prodotti simili
cerca un compon.:ricerca

P26


SI NPN darlington transistor
GFX
UCB 50V
IC 0.5A
hFE >10000
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
P26 è un transistor silicio NPN darlington, Ucb = 50V, Ic = 500mA, d´application: tipo universale
Foto: -
fonte: KSP26
Informazioni aggiuntive per P26
OEM:Samsung Elec... [piú]
Samsung Electronics CO. LTD.
copertura: TO-92
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:
-
prodotti simili:
-
maschera di ricerca prodotti simili:cerca prodotti simili
cerca un compon.:ricerca

P26


SI NPN darlington transistor
GFX
UCB 50V
IC 0.5A
hFE >10000
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
P26 è un transistor silicio NPN darlington, Ucb = 50V, Ic = 500mA, d´application: tipo universale
Foto: -
fonte: KSP26
Informazioni aggiuntive per P26
OEM:Samsung Elec... [piú]
Samsung Electronics CO. LTD.
copertura: TO-92
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:
-
prodotti simili:
-
maschera di ricerca prodotti simili:cerca prodotti simili
cerca un compon.:ricerca