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G
Pagina:

R1001


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >20
Ptot 300mW
fT >250MHz
TJ 150°C
R1001 è un transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: bias resistori intregrati, transistor di commutazione
Foto: -
fonte: KSR1001
Informazioni aggiuntive per R1001
OEM:Samsung Elec... [piú]
Samsung Electronics CO. LTD.
copertura: TO-92
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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OEM:Samsung Elec... [piú]
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R1001 è un transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: bias resistori intregrati, transistor di commutazione
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