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T812


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -40/-50V
IC -0.1A
hFE 60-600
Ptot 350mW
fT -
TJ 150°C
T812 è un transistor silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 100mA, d´application: tipo universale
Foto: -
fonte: KST812
Informazioni aggiuntive per T812
OEM:Samsung Elec... [piú]
Samsung Electronics CO. LTD.
copertura: SOT-23
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:
-
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GFX
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IC -0.1A
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Ptot 350mW
fT -
TJ 150°C
T812 è un transistor silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 100mA, d´application: tipo universale
Foto: -
fonte: KST812
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Samsung Electronics CO. LTD.
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Ptot 350mW
fT -
TJ 150°C
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