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BAV12


si diodo
GFX
UR 90V
IF 350mA
Ptot 0.5W
trr 10nS
UF / IF <0.77V/10mA
TJ 175°C
BAV12 è un diodo silicio, U = 90V, I = 350mA, d´application: fasi di commutazione
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999, Kristalldioden & Transistoren Taschentabelle KTT10 (Franzis Verlag)
Informazioni aggiuntive per BAV12
OEM:Texas Instru... [piú]
Texas Instruments
copertura: DO-35
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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-
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BAV12


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GFX
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Ptot 0.5W
trr 10nS
UF / IF <0.77V/10mA
TJ 175°C
BAV12 è un diodo silicio, U = 90V, I = 350mA, d´application: fasi di commutazione
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Jaeger electronic catalog 1999, Kristalldioden & Transistoren Taschentabelle KTT10 (Franzis Verlag)
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Texas Instruments
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Ptot 0.5W
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TJ 175°C
BAV12 è un diodo silicio, U = 90V, I = 350mA, d´application: fasi di commutazione
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