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BAV23S


si diodo
GFX
UR 200V
IF 200mA
Ptot 0.3W
trr 50nS
- -
TJ 150°C
BAV23S è un diodo silicio, U = 200V, I = 200mA, d´application: 2 diodi molto veloci in una custodia per funzionamento universale e di commutazione con alta tensione inversa
marking code: L31
Foto: -
fonte: PSC Diodes SC01 1992
Informazioni aggiuntive per BAV23S
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura: SOT-23
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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si diodo
GFX
UR 200V
IF 200mA
Ptot 0.3W
trr 50nS
- -
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BAV23S è un diodo silicio, U = 200V, I = 200mA, d´application: 2 diodi molto veloci in una custodia per funzionamento universale e di commutazione con alta tensione inversa
marking code: L31
Foto: -
fonte: PSC Diodes SC01 1992
Informazioni aggiuntive per BAV23S
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
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BAV23S è un diodo silicio, U = 200V, I = 200mA, d´application: 2 diodi molto veloci in una custodia per funzionamento universale e di commutazione con alta tensione inversa
marking code: L31
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fonte: PSC Diodes SC01 1992
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BAV23S


si diodo
GFX
UR 250V
IF 400mA
Ptot 0.25W
trr 50nS
- -
TJ 150°C
BAV23S è un diodo silicio, U = 250V, I = 400mA, d´application: SMD, fasi di commutazione
marking code: KL31
Foto: -
fonte: datasheet
Informazioni aggiuntive per BAV23S
OEM:Diodes Incor... [piú]
Diodes Incorporated
copertura: SOT-23
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IF 400mA
Ptot 0.25W
trr 50nS
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BAV23S è un diodo silicio, U = 250V, I = 400mA, d´application: SMD, fasi di commutazione
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BAV23S è un diodo silicio, U = 250V, I = 400mA, d´application: SMD, fasi di commutazione
marking code: KL31
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