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Pagina:

BYG60M


si diodo
GFX
UR 1kV
IF 650mA
- -
trr 300nS
UF / IF <0.98V/1A
TJ 175°C
BYG60M è un diodo silicio, U = 1kV, I = 650mA, d´application: raddrizzatore veloce, valanga controllata, "soft recoery"
marking code: 60MPH
Foto: -
fonte: Philips Power Diodes 1999
Informazioni aggiuntive per BYG60M
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura: SOD106
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):disponibile
OEM scheda tecnica:-
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- -
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BYG60M è un diodo silicio, U = 1kV, I = 650mA, d´application: raddrizzatore veloce, valanga controllata, "soft recoery"
marking code: 60MPH
Foto: -
fonte: Philips Power Diodes 1999
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