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BYV42EB-200


si diodo
GFX
UR 200V
IF 30A
- -
trr 20nS
UF / IF <0.78V/15A
TJ 150°C
BYV42EB-200 è un diodo silicio, U = 200V, I = 30A, d´application: diodo raddrizzatore veloce, "soft recovery", stadi di commutazione rapidi, diodo doppio
Foto: -
fonte: Philips Power Diodes 1999
Informazioni aggiuntive per BYV42EB-200
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura: SOT404
scheda tecnica (jpg):disponibile
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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-
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- -
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BYV42EB-200 è un diodo silicio, U = 200V, I = 30A, d´application: diodo raddrizzatore veloce, "soft recovery", stadi di commutazione rapidi, diodo doppio
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fonte: Philips Power Diodes 1999
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OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
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BYV42EB-200 è un diodo silicio, U = 200V, I = 30A, d´application: diodo raddrizzatore veloce, "soft recovery", stadi di commutazione rapidi, diodo doppio
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