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BYX133G
si diodo
GFX
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3kV
I
F
50mA
-
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-
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U
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/ I
F
<3.75V/10mA
T
J
175°C
BYX133G è un diodo silicio, U = 3kV, I = 50mA, d´application: stadi ad alta tensine di accensione dell´autoveicolo
Foto:
-
fonte:
Philips Power Diodes 1999
Informazioni aggiuntive per BYX133G
OEM:
Philips Semi...
[piú]
Philips Semiconductors
copertura:
SOD61ABA
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