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BAS86


si schottky diodo
GFX
UR 50V
IF 200mA
- -
trr 4nS
UF / IF <0.45V/10mA
TJ 125°C
BAS86 è un diodo Schottky silicio, U = 50V, I = 200mA, d´application: protezione integrata ad anello per scariche statiche elevate, vedi BAS85
Foto: -
fonte: PSC Diodes SC01 1992
Informazioni aggiuntive per BAS86
OEM:Philips Semi... [piú]
Philips Semiconductors
copertura: SOD80C
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si schottky diodo
GFX
UR 50V
IF 200mA
- -
trr 4nS
UF / IF <0.45V/10mA
TJ 125°C
BAS86 è un diodo Schottky silicio, U = 50V, I = 200mA, d´application: protezione integrata ad anello per scariche statiche elevate, vedi BAS85
Foto: -
fonte: PSC Diodes SC01 1992
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Philips Semiconductors
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GFX
UR 50V
IF 200mA
- -
trr 4nS
UF / IF <0.45V/10mA
TJ 125°C
BAS86 è un diodo Schottky silicio, U = 50V, I = 200mA, d´application: protezione integrata ad anello per scariche statiche elevate, vedi BAS85
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fonte: PSC Diodes SC01 1992
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si schottky diodo
GFX
UR 30V
IF -
Ptot 0.2W
- -
- -
TJ 125°C
BAS85 è un diodo Schottky silicio, U = 30V
Foto: -
fonte: datasheet
Informazioni aggiuntive per BAS86
OEM:ITT Semicond... [piú]
ITT Semiconductors
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UR 30V
IF -
Ptot 0.2W
- -
- -
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GFX
UR 30V
IF -
Ptot 0.2W
- -
- -
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IF 200mA
- -
trr 5nS
UF / IF <0.4V/10mA
TJ 125°C
BAS85 è un diodo Schottky silicio, U = 30V, I = 200mA, d´application: protezione integrata contro le scariche ESD, specialmente per le fasi con bassa soglia di tensione
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IF 200mA
- -
trr 5nS
UF / IF <0.4V/10mA
TJ 125°C
BAS85 è un diodo Schottky silicio, U = 30V, I = 200mA, d´application: protezione integrata contro le scariche ESD, specialmente per le fasi con bassa soglia di tensione
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IF 200mA
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