Z-diodo 1AZ300 schede tecn.

1AZ300

si z- diodo

GFX

U_Z

270-330V

I_Z

0.5mA

r_diff

5kΩ

P_tot

T_J

150°C

1AZ300 è un diodo Z silicio, Uz = 270-330V, N = 1W, d´application: diodo Z

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Informazioni aggiuntive per 1AZ300
OEM:	Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura:	3-3E1A
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si z- diodo

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1AZ300 è un diodo Z silicio, Uz = 270-330V, N = 1W, d´application: diodo Z

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si z- diodo

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si z- diodo

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U_Z

280-300V

I_Z

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1AZ300 è un diodo Z silicio, Uz = 280-300V, N = 1W, d´application: diodo Z
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si z- diodo

GFX

U_Z

290-310V

I_Z

0.5mA

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1AZ300 è un diodo Z silicio, Uz = 290-310V, N = 1W, d´application: diodo Z
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1AZ300 è un diodo Z silicio, Uz = 290-310V, N = 1W, d´application: diodo Z
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290-310V

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P_tot

T_J

150°C

1AZ300 è un diodo Z silicio, Uz = 290-310V, N = 1W, d´application: diodo Z
marking code: Y

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si z- diodo

GFX

U_Z

300-320V

I_Z

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P_tot

T_J

150°C

1AZ300 è un diodo Z silicio, Uz = 300-320V, N = 1W, d´application: diodo Z
marking code: Z

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1AZ300 è un diodo Z silicio, Uz = 300-320V, N = 1W, d´application: diodo Z
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si z- diodo

GFX

U_Z

300-320V

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P_tot

T_J

150°C

1AZ300 è un diodo Z silicio, Uz = 300-320V, N = 1W, d´application: diodo Z
marking code: Z

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