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BUP307D


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 35A
Ptot 310W
fT -
TJ -
BUP307D è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 35A, d´application: tipo universale, diodo integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per BUP307D
OEM:Siemens AG
copertura: TO-3P
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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BUP314D


SI N-IGBT transistor
similar to BUP307D, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 42A
Ptot 310W
TON/TOFF 140/465nS
TJ -
BUP314D è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 42A, d´application: tipo universale, diodo integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: BUP314D
OEM:Siemens AG
copertura: TO-3P
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