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GN12030E


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
TJ -
GN12030E è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, d´application: stadi di potenza
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per GN12030E
OEM:Hitachi Ltd.... [piú]
Hitachi Ltd. Japan
copertura:TOP-3L
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prodotti simili:GT40T101, [piú]
GT40T101,MGY25N120
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GN12030E


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GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
TJ -
GN12030E è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, d´application: stadi di potenza
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fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per GN12030E
OEM:Hitachi Ltd.... [piú]
Hitachi Ltd. Japan
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UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
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GN12030E è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, d´application: stadi di potenza
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Jaeger electronic catalog 1999
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Hitachi Ltd. Japan
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GT40T101


SI N-IGBT transistor
similar to GN12030E, see note
GFX
UCE 1500V
UGE ±25V
IC DC/AC 40/80A
Ptot 200W
TON/TOFF 700/500nS
TJ 150°C
GT40T101 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.5kV, Ic = 40A, d´application: transistori di communtazione e prestazione
Foto: -
fonte: Toshiba IGBT Databook 199...... [piú]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Prodotto simile: GT40T101
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura:2-21F2C
scheda tecnica (jpg):disponibile
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GT40T101


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GFX
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UGE ±25V
IC DC/AC 40/80A
Ptot 200W
TON/TOFF 700/500nS
TJ 150°C
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
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UGE ±25V
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
Prodotto simile: GT40T101
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MGY25N120


SI N-IGBT transistor
similar to GN12030E, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 38A
Ptot 212W
TON/TOFF 215/506nS
TJ -
MGY25N120 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 38A, d´application: transistor di potenza (tipo universale)
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Prodotto simile: MGY25N120
OEM:Motorola Sem... [piú]
Motorola Semiconductor Products Inc.
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MGY25N120


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UGE 20V
IC 38A
Ptot 212W
TON/TOFF 215/506nS
TJ -
MGY25N120 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 38A, d´application: transistor di potenza (tipo universale)
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Prodotto simile: MGY25N120
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MGY25N120


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UCE 1200V
UGE 20V
IC 38A
Ptot 212W
TON/TOFF 215/506nS
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MGY25N120 è un simili transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 38A, d´application: transistor di potenza (tipo universale)
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Prodotto simile: MGY25N120
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