| GT10J303
SI N-IGBT transistor | | | UCE | 600V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 10/20A | | Ptot | 30W | | TON/TOFF | 400/500nS | | TJ | 150°C | | Foto: | - | | fonte: | datasheet | | | Informazioni aggiuntive per GT10J303 | | OEM: | Toshiba Toky... [piú] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | copertura: | 2-10R1C | | scheda tecnica (jpg): | - | | scheda tecnica (pdf): | - | | OEM scheda tecnica: | - | prodotto complementare:
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