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MG50Q2YS50


SI N-IGBT transistor
UCE 1200V
- -
IC 78A
Ptot 400W
fT -
TJ 150°C
MG50Q2YS50 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 78A, d´application: transistor di commutazione e potenza, 2 transistor in una cassa, controllo motore
Foto: -
fonte: Toshiba Databook 1996
Informazioni aggiuntive per MG50Q2YS50
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura: 2-94D4A
scheda tecnica (pdf):disponibile
scheda tecnica (jpg):-
OEM scheda tecnica:-
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MG50Q2YS50


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MG50Q2YS50 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 78A, d´application: transistor di commutazione e potenza, 2 transistor in una cassa, controllo motore
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fonte: Toshiba Databook 1996
Informazioni aggiuntive per MG50Q2YS50
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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MG50Q2YS50 è un transistor silicio N-IGBT, Uce = 1.2kV, Ic = 78A, d´application: transistor di commutazione e potenza, 2 transistor in una cassa, controllo motore
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