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SCR

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Diodi

di

Transistori

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Circuiti integrati

ic

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L
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AA1L3M


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
AA1L3M è un transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: transistor di commutazione, Rb, Rbe 4.7kOhm integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per AA1L3M
OEM:Nippon Elect... [piú]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
copertura: TO-92
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:AN1L3M
prodotti simili: ↑DTC143ES, [piú]
DTC143ES,RN1001,UN421L,2SC4363
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AA1L3M


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
AA1L3M è un transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: transistor di commutazione, Rb, Rbe 4.7kOhm integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per AA1L3M
OEM:Nippon Elect... [piú]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
copertura: TO-92
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DTC143ES,RN1001,UN421L,2SC4363
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AA1L3M


SI NPN transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
AA1L3M è un transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: transistor di commutazione, Rb, Rbe 4.7kOhm integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Informazioni aggiuntive per AA1L3M
OEM:Nippon Elect... [piú]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
copertura: TO-92
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DTC143ES,RN1001,UN421L,2SC4363
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RN1001


SI NPN transistor
simile a AA1L3M vedi nota
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 250MHz
TJ -
RN1001 è un simili transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: transistor di commutazione, Rb 4.7kOhm, Rbe 4.7kOhm integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: RN1001
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura: TO-92
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RN1001


SI NPN transistor
simile a AA1L3M vedi nota
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 250MHz
TJ -
RN1001 è un simili transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: transistor di commutazione, Rb 4.7kOhm, Rbe 4.7kOhm integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: RN1001
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura: TO-92
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RN1001


SI NPN transistor
simile a AA1L3M vedi nota
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 250MHz
TJ -
RN1001 è un simili transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: transistor di commutazione, Rb 4.7kOhm, Rbe 4.7kOhm integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: RN1001
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura: TO-92
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UN421L


SI NPN transistor
simile a AA1L3M vedi nota
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 80MHz
TJ -
UN421L è un simili transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: Rb, Rbe 4.7kOhm integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: UN421L
OEM:Matsushita D... [piú]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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UN421L


SI NPN transistor
simile a AA1L3M vedi nota
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 80MHz
TJ -
UN421L è un simili transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: Rb, Rbe 4.7kOhm integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: UN421L
OEM:Matsushita D... [piú]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
copertura:-
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UN421L


SI NPN transistor
simile a AA1L3M vedi nota
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 80MHz
TJ -
UN421L è un simili transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: Rb, Rbe 4.7kOhm integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1999
Prodotto simile: UN421L
OEM:Matsushita D... [piú]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
copertura:-
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2SC4363


SI NPN transistor
simile a AA1L3M vedi nota
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ -
2SC4363 è un simili transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: transistor di commutazione, Rb 4.7kOhm, Rbe 4.7kOhm integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1996
Prodotto simile: 2SC4363
OEM:Tokyo Sanyo... [piú]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
copertura:-
scheda tecnica (jpg):-
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prodotto complementare:2SA1656
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AA1L3M,DTC143ES,RN1001,UN421L
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2SC4363


SI NPN transistor
simile a AA1L3M vedi nota
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ -
2SC4363 è un simili transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: transistor di commutazione, Rb 4.7kOhm, Rbe 4.7kOhm integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1996
Prodotto simile: 2SC4363
OEM:Tokyo Sanyo... [piú]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
copertura:-
scheda tecnica (jpg):-
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prodotto complementare:2SA1656
prodotti simili: ↑AA1L3M, [piú]
AA1L3M,DTC143ES,RN1001,UN421L
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2SC4363


SI NPN transistor
simile a AA1L3M vedi nota
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ -
2SC4363 è un simili transistor silicio NPN, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: transistor di commutazione, Rb 4.7kOhm, Rbe 4.7kOhm integrato
Foto: -
fonte: Jaeger electronic catalog...... [piú]
Jaeger electronic catalog 1996
Prodotto simile: 2SC4363
OEM:Tokyo Sanyo... [piú]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
copertura:-
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare:2SA1656
prodotti simili: ↑AA1L3M, [piú]
AA1L3M,DTC143ES,RN1001,UN421L
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