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B601


SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -5A
hFE >2000
Ptot 30W
fT -
TJ -
B601 è un transistor silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 5A, d´application: diodo integrato
Foto: -
fonte: 2SB601
Informazioni aggiuntive per B601
OEM:Nippon Elect... [piú]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
prodotto complementare: ↓2SD560
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BD650,BD902,BDW24C,BDW64C,BDW64D,2SB1339
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -5A
hFE >2000
Ptot 30W
fT -
TJ -
B601 è un transistor silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 5A, d´application: diodo integrato
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -5A
hFE >2000
Ptot 30W
fT -
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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SI PNP darlington transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -5A
hFE 2-15k
Ptot 30W
fT -
TJ 150°C
B601 è un transistor silicio PNP darlington, Uce = 100V, Ic = 5A, d´application: amplificatore di potenza e commutatore per medie frequenze nell´ambito industriale
Foto: -
fonte: KSB601
Informazioni aggiuntive per B601
OEM:Samsung Elec... [piú]
Samsung Electronics CO. LTD.
copertura: TO-220
scheda tecnica (jpg):disponibile
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UCE/UCB -100/-100V
IC -5A
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